PTR200N萊寶真空計說明

PTR 200 N PENNINGVAC 係列真空變（biàn）送器可提供從 1×10-8 毫巴至 1500 毫巴的較大測量範（fàn）圍，基（jī）於對 MEMS Pirani 矽芯片傳感器上小空腔中的熱傳導性、壓電傳感器（qì）中矽膜的機械偏轉和冷（lěng）陰極 (CC) 電離（lí）電流的測量結（jié）果。
PTR 200 N PENNINGVAC 變送器配備 RS232 數字通（tōng）信接口，可設（shè）定（dìng）變送（sòng）器（qì）參數並提供實時壓力測量。更多詳情，請（qǐng）參閱通信協議 300544663 (RS232)。
每台變送器在出廠前已（yǐ）逐台進行全量程測試（shì）。測試報告隨附（fù）在包裝中。此外，每個變送器壓力讀數均在操作溫度範圍內逐一得（dé）到溫度補償。
變送器擁有三個機械繼（jì）電器，這些繼電器可用於過程控製，例如閥或泵的聯鎖。模擬電壓輸出可連接（jiē）至外部模（mó）擬設備，獲取壓力讀數（shù），或（huò）進行壓力控製（zhì）。
傳（chuán）感器技（jì）術
PTR 200 N PENNINGVAC 變送器含有兩個獨立的傳感器元件。MEMS Pirani (MEMS = Micro-Electro-Mechanical-System (微（wēi）電子機械係統)) 傳感器（qì）元件基於熱傳導性的測量結果。MEMS Pirani 傳感器包含一個（gè）帶有熱電阻（zǔ）元件的矽芯片，其構成空腔的一個表麵。芯片頂部的（de）封蓋形成空腔的另一表麵。由於傳感器的（de）幾何形（xíng）狀，空（kōng）腔內無法進行對流，因此（cǐ），傳感器對安（ān）裝位置並不（bú）敏感。通過擴（kuò）散，氣體分子隻到達熱元件，在此處可測量氣體的熱損耗（hào）。
冷陰極反磁控管采用高電（diàn）壓（yā）陽極、陰極和永磁體。電子向（xiàng）陽極（jí）加（jiā）速，並將通過（guò）碰撞而（ér）使（shǐ）分子離子化。磁場（chǎng）使電子偏轉，從而使電（diàn）子在穿過磁場前往（wǎng）陽極（jí）時做螺旋形移動。這種螺旋運動增大了電子遇到分子並使（shǐ）分子離（lí）子化的機（jī）會。
分（fèn）子離（lí）子化產生電流，該電（diàn）流是壓力的函數。這兩個傳（chuán）感器（qì）元（yuán）件均極為堅固耐用（yòng），可（kě）承受（shòu）較高重力和瞬間空氣湧入。
PTR200N萊（lái）寶真空計（jì）說明應用
變（biàn）送器可用於眾多不同領域的真空應用中，如：工業應用、研（yán）發、半導體、分析和塗料工業中:
 一般真空壓力測量
 氣體回填測量和控製
 塗料
 質譜儀控（kòng）製
 係統過程控製
 檢測異常壓力，利用設定點繼電器采取妥當的（de）安全措施
 控製係統壓力